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| Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Ruckw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlastrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauergleichstrom DC forward current Stostrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 VRRM IFRMSM TC = 80C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25C 25C Id IFSM I2 t 1600 40 50 500 400 1250 800 V A A A A A2s A2s tP = 10 ms, T vj = 150C tP = 10 ms, T vj = 150C Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value Tc = 80 C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125C IF IFRM 2 It VCES Tc = 80 C TC = 25 C tP = 1 ms, TC = 25C T C = 80 C IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 1200 50 80 100 360 +/- 20V V A A A W V 50 100 1.200 A A A2s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin Tc = 80 C tP = 1 ms IF IFRM 15 30 A A TC = 80 C TC = 25 C tP = 1 ms, TC = 80C TC = 25C VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 1200 25 45 50 230 +/- 20V V A A A W V date of publication:12.06.2003 revision: 6 1(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prufspannung insulation test voltage VISOL 2,5 kV Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Durchlaspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Sperrstrom reverse current Tvj = 150C, Tvj = 150C Tvj = 150C Tvj = 150C, V R = 1600 V I F = 50 A VF V(TO) rT IR RAA'+CC' min. - typ. 1,05 3 4 max. 0,8 6,5 V V mW mA mW Modul Leitungswiderstand, Anschlusse-Chip TC = 25C lead resistance, terminals-chip Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter VGE = 15V, Tvj = 25C, Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125C, Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazitat input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschluverhalten SC Data VCE = VGE, Tvj = 25C, min. IC = IC = IC = 50 A 50 A 2 mA VGE(TO) Cies 1200 V 1200 V IGES 600 V 15 Ohm 15 Ohm 600 V 15 Ohm 15 Ohm 600 V 15 Ohm 15 Ohm 600 V 15 Ohm 15 Ohm 600 V 15 Ohm 50 nH 600 V 15 Ohm 50 nH 15 Ohm 720 V 4000 A/s ISC Eoff Eon tf td,off tr td,on ICES VCE sat 4,5 - typ. 2,2 2,5 5,5 3,3 3,0 4,0 - max. 2,55 6,5 500 300 V V V nF A mA nA f = 1MHz, Tvj = 25C VCE = 25 V, VGE = 0 V VGE = 0V, VGE = 0V, Tvj = 25C, V CE = Tvj =125C, V CE = VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25C IC = INenn, V CC = VGE = 15V, Tvj = 25C, R G = VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = IC = INenn, V CC = VGE = 15V, Tvj = 25C, R G = VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = IC = INenn, V CC = VGE = 15V, Tvj = 25C, R G = VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = IC = INenn, V CC = VGE = 15V, Tvj = 25C, R G = VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = IC = INenn, V CC = LS = IC = INenn, V CC = LS = tP 10s, VGE 15V, Tvj125C, RG = VCC = dI/dt = VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = 65 60 45 45 380 400 10 30 6,5 - ns ns ns ns ns ns ns ns mWs 6 - mWs 300 - A 2(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values min. Modulinduktivitat stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlusse-Chip TC = 25C lead resistance, terminals-chip Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Durchlaspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzogerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy LsCE RCC'+EE' - typ. 7 max. 100 nH mW min. VGE = 0V, Tvj = 25C, VGE = 0V, Tvj = 125C, IF=INenn, IF = IF = 50 A 50 A 1600A/s 600 V 600 V 1600A/s 600 V 600 V 1600A/s 600 V 600 V ERQ Qr IRM VF - typ. 1,75 1,7 75 85 5,5 12 1,6 4 max. 2,2 V V A A As As mWs mWs - diF/dt = VGE = -10V, Tvj = 25C, V R = VGE = -10V, Tvj = 125C, V R = IF=INenn, - diF/dt = VGE = -10V, Tvj = 25C, V R = VGE = -10V, Tvj = 125C, V R = IF=INenn, - diF/dt = VGE = -10V, Tvj = 25C, V R = VGE = -10V, Tvj = 125C, V R = Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper VGE = 15V, Tvj = 25C, Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125C, Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazitat input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = VGE, Tvj = 25C, min. IC = IC = IC = 25,0 A 25,0 A 1mA VGE(TO) Cies 1200 V 1200 V IGES ICES VCE sat 4,5 - typ. 2,2 2,5 5,5 1,5 1,5 2,0 - max. 2,55 6,5 500 300 V V V nF A mA nA f = 1MHz, Tvj = 25C VCE = 25 V, VGE = 0 V VGE = 0V, Tvj = 25C, V CE = VGE = 0V, Tvj = 125C, V CE = VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25C Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Tvj = 25C, Durchlaspannung forward voltage Tvj = 125C, NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value min. IF = IF = 25,0 A 25,0 A VF - typ. 2,1 2 max. 2,4 V V min. TC = 25C TC = 100C, R 100 = 493 W TC = 25C R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)] R25 DR/R P25 B25/50 -5 typ. 5 max. 5 20 kW % mW K 3375 3(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Tvj Top Tstg lPaste=1W/m*K lgrease=1W/m*K typ. 0,04 0,02 0,04 - max. 0,65 0,35 0,55 0,55 1,2 150 125 125 K/W K/W K/W K/W K/W K/W K/W K/W C C C RthJC - RthCK -40 -40 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight M Al2O3 225 3 10% G 300 g Nm 4(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 I C = f (VCE) Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 100 90 80 Tj = 25C 70 60 Tj = 125C VGE = 15 V IC [A] 50 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 100 90 80 70 60 VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V I C = f (VCE) Tvj = 125C IC [A] 50 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 VCE [V] 5(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 I C = f (VGE) Ubertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical) 100 90 80 70 60 Tj = 25C Tj = 125C VCE = 20 V IC [A] 50 40 30 20 10 0 0 2 4 6 8 10 12 14 VGE [V] Durchlakennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) 100 90 80 70 60 Tj = 25C Tj = 125C I F= f (VF) IF [A] 50 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 VF [V] 6(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 E = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) on Tj = 125C, V GE = 15 V, VCC = 600 V 15 Ohm Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 18 16 Eon 14 12 Eoff Erec RGon = RGoff = E [mWs] 10 8 6 4 2 0 0 20 40 60 80 100 120 IC [A] Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 10 9 8 7 Eon Eoff Erec E = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG) on Tj = 125C, V GE = +-15 V , I c = Inenn , VCC = 600 V E [mWs] 6 5 4 3 2 1 0 0 5 10 15 20 25 30 35 RG [W] 7(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 Z thJC = f (t) Transienter Warmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 1 Zth-IGBT Zth-FWD ZthJC [K/W] 0,1 0,01 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) 120 I C = f (VCE) 15 Ohm Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)Tvj = 125C, VGE = 15V, RG = 100 80 IC,Modul IC,Chip IC [A] 60 40 20 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 8(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 I C= f (VCE) Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) 50 45 40 35 30 Tj = 25C Tj = 125C VGE = 15 V IC [A] 25 20 15 10 5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 VCE [V] Durchlakennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical) 50 45 40 35 30 Tj = 25C Tj = 125C I F = f (VF) IF [A] 25 20 15 10 5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 VF [V] 9(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 I F= f (VF) Durchlakennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) 100 90 80 70 60 Tj = 25C Tj = 150C IF [A] 50 40 30 20 10 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 VF [V] NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 Rtyp 10000 R[W] 1000 100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 TC [C] 10(11) DB-PIM-10.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 Schaltplan/ Circuit diagram 21 22 20 1 2 3 14 23 24 7 13 19 18 4 12 17 16 5 11 10 15 6 NTC 8 9 Gehauseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 11(11) DB-PIM-10.xls Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. |
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